ARMSTRONGTEC WIND, SOLAR AND TIDAL POWER PLANT

O IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor, ou transistor bipolar de porta isolada - é um componente semicondutor de potência, que possui como principais características: alta eficiência, rápida comutação e facilidade de acionamento. Atualmente ele é muito utilizado em inversores de frequência e fontes chaveadas de alta potência, além de ter aplicação em carros hibridos ou elétricos, popularizando cada vez mais o seu uso em eletrônica embarcada e de consumo, em detrimento dos MOSFETS. O IGBT alia as caracteristicas de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância os Mosfets. Assim, ele apresenta as facilidades de chaveamento dos Fets, por ser acionado por tensão e não ter a dependência de uma alta corrente de base para sua polarização, e suporta maiores potências que os fets, assim como apresenta uma baixa tensão de saturação. Basicamente, o IGBT pode ser analizado como um mosfet acionando um transistor bipolar. Este arranjo apresenta um tiristor parasita, que ´normalmente é ignorado devido ao avanço tecnologico realizado na construção do componente, que não apresenta mais este inconveniente.
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